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姓名	甘佳民(Jian-Ming Gan )  查詢紙本館藏	畢業系所	電機工程研究所
論文名稱	氮化鋁中間層對氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面場效電晶體之影響
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摘要(中)	在磊晶氮化鎵於藍寶石基板上時，由於晶格不匹配，導致在氮化鎵與基板介面間產生線差排，而此差排會往上延伸到表面，如此會降低材料中的電子遷移率。有論文發表在磊晶緩衝層時，若於緩衝層中加入了AlN interlayer可以減少這線差排。本文旨要在分析加入了這AlN interlayer以後，除了改善我們磊晶的品質外，觀看這是否會對我們元件特性有其它影響。除了元件特性外，本文尚討論了AlN interlayer與AlGaN對二維電子海的影響。
關鍵字(中)	★ 中間層 ★  氮化鋁 ★  氮化鋁鎵/氮化鎵 ★  氮化鎵 ★  異質接面場效電晶體	關鍵字(英)	★ AlGaN/GaN ★  AlN ★  GaN ★  HFET ★  interlayer
論文目次	第一章導論 1.1 回顧Ⅲ-Ⅴ族半導體於高速元件的發展 1 1.2 氮化鎵材料介紹 2 第二章元件之原理與製程 2.1 高速電子遷移率場效電晶體工作原理及材料特性討論 4 2.2 AlGaN/GaN 異質接面場效電晶體的製程 7 第三章元件量測與結果分析 3.1 磊晶結構及材料分析 14 3.1.1 元作結構 14 3.1.2 霍爾效應量測 18 3.2 直流量測 20 3.3 高頻量測 29 第四章AlN interlayer 對元件的影響 4.1 C-V量測 45 4.2差排於磊晶片表面之影響 55 第五章結論 59 Reference 61
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指導教授	綦振瀛(Jen-Inn Chyi)	審核日期	2001-7-17
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